根据ZDNet的报道★✿，韩国可能在 DRAM 和 NAND 闪存等记忆产品领域领先★✿，但它仍然严重依赖日本的关键材料★✿。该报告援引消息人士的话警告说★✿，除非本地化进程更快地推进★✿，否则这种依赖可能会成为韩国在人工智能和 HBM 竞赛中的结构性风险★✿。报告指出★✿，在 SK 海力士的 HBM 价值链中★✿，超细 TSV（硅通孔）堆叠结构依赖于由日本公司主要垄断的关键材料和设备含羞草实验室入口直接进爱豆★✿。报告强调★✿，用于 HBM 堆叠的底部填充剂——几乎完全由日本的 NAMICS 提供★✿。由于替代方案有限★✿，本地化进展缓慢★✿。此外★✿，SK

　　TrendForce集邦咨询表示★✿，第二季度NAND收入前五大供应商的总收入环比增长22%★✿，达到146.7亿美元★✿。三星第二季度收入环比增长 23.8% 至 52 亿美元★✿，将三星的市场份额小幅提升至 32.9%★✿。海力士第二季度收入环比增长 52.5%★✿，达到 33.4 亿美元★✿，市场份额为 21.1%★✿。铠侠第二季度营收环比增长11.4%至21.4亿美元★✿，环比增长11.4%★✿，排名第三★✿。美光收入环比增长 3.7%★✿，达到 21 亿美元★✿，市场份额为 13.3%★✿。SanDisk 的收入环比增长 12.2% 至 19 亿美元

　　三星和 SK 海力士虽然暂时免于美国政府入股的风险★✿，但随着华盛顿撤销豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允许他们自由进口美国芯片制造设备——根据路透社和彭博社的数据★✿，三星和 SK 海力士在中国遇到了新的障碍★✿。正如联邦文件所示★✿，报告表明撤销将在 120 天后开始★✿。报道补充说★✿，值得注意的是★✿，美国政府表示将批准三星和 SK 海力士的许可★✿，以维持其在中国现有晶圆厂的运营★✿，但不会批准产能扩张或技术升级★✿。路透社指出★✿，英特尔也上市★✿，尽管它已经在今年早些时候通过出售其大连工厂

　　据韩媒ZDNet Korea援引业界消息★✿，三星电子与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND Flash的投资步伐★✿。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高★✿，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域★✿，导致对NAND的投资负担加重★✿。三星自2025年初开始★✿，在韩国平泽的P1厂和西安NAND厂推进转换投资★✿，主要将第6★✿、7代NAND升级至第8★✿、9代★✿。这种转换投资相较于新建投资成本更低★✿，且能部分利用现有设备★✿，效率较高★✿。然而★✿，近期三星针对最先进NAND的转换投资速度有所放缓★✿。例如★✿，P1厂的第9代NAND转换投资

　　美光  宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存★✿。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND★✿、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品★✿，现已实现商业化★✿。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计★✿。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试★✿，包括极端温度循环★✿、缺陷筛选和动态老化★✿。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证★✿，确保其在高辐射环境中的可靠性★✿。这

　　(图片来源★✿：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC）★✿，中国领先的 NAND 存储器生产商含羞草实验室入口直接进爱豆★✿，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单★✿，这基本上禁止了其获取先进制造设备★✿。尽管面临制裁和限制★✿，YMTC 计划今年扩大其生产能力★✿，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%★✿，据《Digitimes》报道★✿。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线★✿。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道★✿，预计到 2024 年底凯发k8国际★✿，YMTC 的月产能将达到每月

　　中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力★✿，在大约一年后将其产能几乎翻了一番★✿。自去年以来★✿，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角凯发k8国际★✿，从传统 DRAM 开始★✿，在国内市场需求和政府补贴的推动下★✿，中国内存正在提高其竞争力★✿。此外★✿，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战★✿，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距★✿。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia

　　根据TrendForce预估★✿，第三季NAND Flash价格走势★✿，预估平均合约价将季增5%至10%★✿，但eMMC★✿、UFS产品★✿，因智慧手机下半年展望不明★✿，涨幅较低★✿。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期含羞草实验室入口直接进爱豆★✿，增强第三季回补动能★✿。 而Windows 10停止支持含羞草实验室入口直接进爱豆★✿、新一代CPU推出引发换机潮★✿，以及DeepSeek一体机热潮凯发k8国际★✿，皆带动client SSD需求★✿。此外★✿，部分原厂积极推动大容量QLC产品★✿，带动出货规模★✿。 综合以上因素★✿，预估第三季client SSD将季增3%至8%★✿。随NVIDIA B

　　SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要★✿。Micron Technology Inc.近日宣布★✿，推出美光 2600 NVMe™ SSD★✿，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案★✿。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND）★✿，并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™★✿，AWT）★✿，在兼顾 QLC

　　TrendForce最新释出的存储器市场观察指出★✿，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势★✿，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动含羞草实验室入口直接进爱豆★✿，但因供需未形成紧张态势★✿，价格预期多呈持平★✿。TrendForce表示凯发K8天生赢家一触即发★✿，DDR4近期的强劲涨势凯发k8国际★✿，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮★✿，但这波动能可能难以延续至年底★✿。根据通路查核★✿，随着价格进入高档区间★✿，供应商正逐步释出库存★✿，预期第四季整体供应将逐步改善★✿。DDR5方面★✿，目前价格趋势稳定★✿，2025年第二★✿、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间★✿。 不过★✿，部分二线OE

　　纵观整个电子行业★✿，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势★✿。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升智慧家电★✿，★✿，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存★✿，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题★✿，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术★✿、新产品可持续发展★✿，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情★✿，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell）★✿，TLC（Triple-Level Cell）★✿，以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev

　　韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文★✿，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进★✿，展示了带宽★✿、容量★✿、I/O 宽度以及热量的增加★✿。该路线D 堆叠★✿、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储★✿，甚至基于机器学习的方法来控制功耗★✿。请记住★✿，该文件是关于 HBM 技术假设演进的★✿，基于当前行业和研究方向★✿，而不是任何商业公司的实际路线图★✿。（图片来源★✿：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34

　　上半年★✿，时至过半★✿。回顾这半年的半导体市场★✿，似是相对平静含羞草实验室入口直接进爱豆★✿，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整★✿。它们接连「动刀」★✿，果断退出部分产品领域含羞草实验室入口直接进爱豆★✿。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头★✿，放弃这些芯片存储三巨头★✿，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星★✿、SK 海力士k8凯发天生赢家一触即发★✿。★✿、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息★✿，想必业内人士早有耳闻凯发天生赢家一触即发官网★✿。★✿。今年 2 月★✿，这则消息正式传来★✿，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等

　　据消息人士透露★✿，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单★✿，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务含羞草实验室入口直接进爱豆★✿。同时★✿，三星还提高了MLC NAND的价格★✿，促使部分客户开始寻找替代供应商★✿。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一★✿。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND★✿。目前K8凯发·(中国)官方网站★✿，★✿，LG显示正在寻求其他供应商★✿，以填补这一空缺★✿。据悉★✿，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品★✿。其中★✿，ESMT的eMMC采用了三星的MLC

　　业界传出★✿，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC）★✿，近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知★✿。 随着原料缺货日益严峻★✿，载板供应中长期将出现短缺★✿。 供应链业者同步透露★✿，金价持续上涨★✿、产品交期延长★✿，NAND Flash控制芯片等领域★✿，也可望转嫁成本上涨★✿，包括群联★✿、慧荣等主控业者有机会受惠★✿。多家BT载板业者证实★✿，确实2025年5月上旬时★✿，陆续接获日本MGC书面通知★✿，部分高阶材料订单交期将进一步拉长★✿，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形★✿，已进一步向BT载板供应链蔓延★✿。据三菱发出的通知内容指出★✿，

　　一般快闪记忆体可分为二大规格★✿，一是NAND★✿，一是NOR. 简单的来说★✿，NAND规格快闪记忆体像硬碟★✿，以储存数据为主★✿，又称为Data Flash★✿，晶片容量大★✿，目前主流容量已达二Gb★✿；NOR规格记忆体则类似DRAM凯发k8国际★✿，以储存程序代码为主★✿，又称为Co deFlash★✿，所以可让微处理器直接读取★✿，但晶片容量较低★✿，主流容量为五一二Mb★✿。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同★✿，读写速度也有很 [查看详细]